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IRLML6302
180
160
140
120
C iss
C oss
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss =C ds +C gd
10
8
6
I D = -0.61A
V DS = -16V
100
80
60
40
20
C rss
4
2
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
A
0
0.0
1.0
2.0
SEE FIGURE 9
3.0
A
4.0
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
10
1
T J = 150°C
10
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100 μ s
T J = 25°C
1
1ms
0.1
10ms
V GS = 0V
0.01
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2 1.4
A
0.1
1
T A = 25°C
T J = 150°C
Single Pulse
10
A
100
-V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
www.irf.com
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
4
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